Mengurangkan Pelepasan Karbon Dalam Proses Pembuatan Cip Menggunakan Lampu IR Tanpa Ozon
Pembuatan semikonduktor memerlukan jumlah haba yang sangat banyak serta ketepatan yang tinggi. Namun, cara kita mengendalikan proses termal ini secara tradisional sebenarnya menyebabkan pelepasan karbon yang banyak. Kita cuba menyelesaikan masalah ini dengan menggunakan lampu inframerah tanpa ozon. Ini merupakan cara yang lebih mudah untuk mengelakkan pembaziran tenaga serta mengurangkan bahan buangan yang timbul akibat radiasi gelombang pendek.
Masalah yang timbul akibat penggunaan lampu IR biasa
Lampu IR biasa mengeluarkan radiasi dalam lingkungan 185nm hingga 254nm. Radiasi ini akan menukar oksigen di udara menjadi ozon (O3). Di bilik bersih, ozon merupakan bahan pencemar yang tidak diinginkan sama sekali.
Kita menyelesaikan masalah ini dengan menggunakan filamen khusus atau lapisan kuarsa yang mampu menahan radiasi VUV tersebut. Dengan cara ini, kita masih boleh mendapatkan haba yang intensif, tetapi tanpa adanya pengumpulan gas berbahaya.
Oleh kerana kita tidak perlu berhadapan dengan ozon, kita boleh mengelakkan penggunaan sistem pengekstrakan tenaga yang memerlukan tenaga yang banyak. Ini tentunya merupakan kelebihan besar bagi penggunaan tenaga di fasiliti tersebut.
Menggunakannya dalam dunia nyata
Lampu-lampu ini direka untuk beroperasi dengan cepat. Ia mampu menghasilkan haba yang tinggi dan waktu pemanasan yang singkat. Tujuannya adalah untuk mengurangkan “haba yang terbuang” – iaitu tenaga yang terbuang ketika mesin sedang berehat.
Daripada memanaskan seluruh ruang seperti sebuah oven besar, kita hanya perlu memanaskan wafer tersebut sahaja. Ini merupakan cara yang lebih efisien untuk menggunakan tenaga elektrik.
Selain itu, perkakasan ini direka agar boleh digunakan sebagai pengganti kepada peralatan sedia ada. Anda boleh menggantikannya tanpa perlu membongkar keseluruhan peralatan tersebut. Kami juga menggunakan kuarsa yang tahan lama, supaya lampu tersebut tidak retak ketika suhu berubah secara mendadak.
Cabaran yang perlu dihadapi
Namun, semuanya bukanlah mudah. Ada beberapa kelemahan yang perlu dihadapi.
Apabila kita ingin mencapai kadar pemanasan yang cepat, sumber kuasa akan menghadapi tekanan yang tinggi. Anda perlu memastikan panel elektrik dapat menangani arus yang tinggi tersebut, jika tidak, sistem akan gagal berfungsi.
Jarak antara lampu dan wafer juga penting. Jika lampu terlalu dekat, wafer akan menjadi terlalu panas. Jika terlalu jauh pula, kecekapan proses pengurangan karbon akan berkurangan. Kami juga menambah lapisan pelindung untuk memastikan haba tetap berada di tempatnya dan tidak merosakkan komponen mesin.